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Intel七代处理器Intel七代酷睿I

时间:2018-08-25 22:04:45| 来源:| 编辑:笔名| 点击:0次

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特尔将其的处理器发展模式称为“Tick-Tock”,“Tick-Tock”的原意是时钟走过一秒钟发出的“滴答”声响,因此也称为“钟摆”理论。按照Intel的计划,每两年进行一次架构大变动——“Tick”年实现制作工艺进步,“Tock”年实现架构更新。不幸的是在14nm向10nm提升的过程中,Intel在工艺上遭遇了难产,Tick-Tock策略因此停摆,14nm工艺将继续战三代。

说起Intel第四代处理器和第六代处理器的区别,就不得不提内存。第六代处理器终结了长达7年的DDR3内存标准

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,可以说DDR4内存的普及离不开Intel的大力推广。

新老平台DDR3与DDR4对比

DDR3与DDR4外观上有本质的区别,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。

接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。

DDR4最重要的提升当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,DDR那就是51.2GB/s,比之DDR高出了超过70%。DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。而电压方面,DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造,电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移动版的SO-DIMMD DDR4的电压还会降得更低。

从内存带宽上考虑,似乎DDR4比DDR3高出不少。但是高频率高带宽在实际操作上优势并不明显。如果你是集显平台用户,那么集显性能DDR4双通道将比DDR3双通道提升较大;又或者你经常使用压缩软件,制作影片,DDR4内存可以很好的节约你的时间。但你要指望DDR4内存能让你进入程序更快,游戏FPS更高,不太可能。再说电压,DDR4电压降至1.2V,功耗更低发热量更低,相应的稳定性会比DDR3更好。

新老平台功耗对比

我们以Intel 第四代旗舰i7 4790K与i7 6700K为例。i7 4790K的TDP为88W,而另人不解的是i7 6700K的TDP达到了91W。同为四核心八线程,14nm居然比22nm还要高3W。并且还未上市的i7 7700K功耗为95W。但在相同的TDP下,Kaby Lake处理器频率更高,性能自然会有提升。

其实CPU TDP仅仅值对应系列CPU的最终版本在满负荷(CPU 利用率为100%的理论上)可能会达到的最高散热热量,如果单从这一点认为六代处理器不如四代处理器未免有失偏颇。我们假设极端情景,i7 4790K与i7 6700K完成满载,电脑每天工作10小时,也就是10*3W=30W,一年也就是365*30W=10950,大约10度电的差别,以北京电价为例,仅有6块钱的电费差别。不过这只是极端情况,正常使用不可能一直满载,更别说每天满载10小时,所以新老平台功耗影响其实可以不必太过在意。

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